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      氧化鎵的生產發現其新的催化作用

      2021-03-27 10:57:17

      半導體氧化物是目前在半導體技術領域受到高度重視的一類新材料。 氧化鎵是能夠處理極高電壓以及深紫外區域光學透明度的特別材料。這些元件是基于特殊沉積方法所生產出來的超薄超純半導體層。物理學家首次在晶體生長過程中觀察到具有催化作用的氧化鎵并大大增加它的產率。

      氧化鎵有希望成為一代具有前所未有性能的電子元件。Paul Drude固態電子研究所(PDI)的物理學家現在已經大幅提高了氧化鎵的產率,并在晶體生長過程中首次觀察到其具有催化效應。這個效應不僅是一個新的發現,它也可以移植到其他與氧化鎵具有相似性質的材料上。

      氟化鎵

      物理氣相沉積(PVD)是制造薄且高純度半導體層的關鍵技術之一。PVD的一種特殊形式是物理學家在他們的研究中使用的分子束外延(MBE)技術。MBE期間的反應化學比其他更復雜的半導體生產技術要簡單得多。因此,PDI研究人員不期望在MBE過程中觀察到催化效應。他們認為這種現象是一種金屬交換催化的新機制。

      他們的實驗表明,加入元素銦大大增加了MBE期間氧化鎵的生長速度。除此之外他們還透露,氧化鎵可形成特殊的晶體結構,它特別適用于開發在許多組件中必不可少的氧化鎵和氧化銦層的異質結構。

      考慮到MBE的簡單反應化學,研究人員確信所觀察到的效果通常是有效的,因此適用于所有具有與氧化鎵相似性質的材料。研究員Patrick Vogt博士補充說:“金屬交換催化劑的發現提供了一種全新的方法來生長晶體材料,并且很可能開拓出從未有過的生產半導體組件的新途徑?!?/span>

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      氧化鎵氧化銦


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